| 摘要 |
Es werden ein Bildsensor und ein Verfahren zu dessen Herstellung bereitgestellt. In dem Bildsensor hat ein Halbleitersubstrat einen Bildpunkt-Bereich und einen Peripherie-Bereich, die durch eine erste Bauelemente-Isolationsschicht definiert werden. Erste und zweite Fotodioden-Muster werden auf dem Bildpunkt-Bereich definiert und sind mit unteren Metallleitungen und ersten und zweiten Auslese-Schaltkreisen verbunden. Das erste Fotodioden-Muster arbeitet als aktive Fotodiode, und das zweite Fotodioden-Muster dient als Dummy-Bildpunkt. Der Dummy-Bildpunkt kann den Leckstrom messen.
|
