Nasschemisches Verfahren zur Herstellung eines Hochtemperatursupraleiters

摘要

Bei einem Verfahren zur nasschemischen Herstellung eines HTSL auf einem Träger kann eine HTSL-Precursorlösung ohne Trifluoracetat verwendet werden, wenn bei der Wärmebehandlung des HTSL-Precursors dieser auf eine Temperatur Ts erwärmt wird, bei der die verbliebenen Substanzen der HTSL-Precursorlösung eine zumindest partielle Schmelze bilden und die unter der Temperatur liegt, bei der RE2BaCuOx gebildet und aus der Flüssigphase unter Bildung eines Peritektikums ausgeschieden wird.