| 发明名称 | 超疏水性SiC纳米纤维的合成方法 | ||
| 摘要 | 一种超疏水性SiC纳米纤维的合成方法，属于纳米材料技术领域。本发明采用硅片作为反应衬底和硅源，以固态碳材料为前驱体，以惰性气体氩气为保护气体及载气，以ZnS粉末为选择性辅助剂，在硅片上生长成SiC纳米纤维，再在合成出的SiC纳米纤维表面蒸镀一层全氟硅烷，从而得到接触角高于150度的超疏水性能SiC纳米纤维样品。本发明简单易行，对环境无污染，无明显易燃危险原料；超疏水性能高，可以在许多自清洁场合得到应用。 | ||
| 申请公布号 | CN100515941C | 申请公布日期 | 2009.07.22 |
| 申请号 | CN200710040470.0 | 申请日期 | 2007.05.10 |
| 申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 牛俊杰;王健农 |
| 分类号 | C01B31/36(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海交达专利事务所 | 代理人 | 王锡麟;张宗明 |
| 主权项 | 1、一种超疏水性SiC纳米纤维的合成方法，其特征在于，采用硅片作为反应衬底和硅源，以固态碳材料为前驱体，以惰性气体氩气为保护气体及载气，以ZnS粉末为选择性辅助剂，在硅片上生长成SiC纳米纤维，再在合成出的SiC纳米纤维表面蒸镀一层全氟硅烷，从而得到接触角高于150度的超疏水性能SiC纳米纤维样品。 | ||
| 地址 | 200240上海市闵行区东川路800号 | ||