校正金属薄膜沉积位置的控片、方法及偏移量化方法

摘要

本发明涉及集成电路制造工艺技术领域，且特别涉及一种校正金属薄膜沉积位置的控片、方法及偏移量化方法。本发明中发明的一种校正金属薄膜沉积位置的控片表面上设置有：定位标记；多组临近控片边缘的刻度标记，各组刻度标记标示出距控片边缘的多个可读取的距离值，以控片中心为顶点，上述多组刻度标记之间形成预定角度。由于本发明在空白的控片上引入了刻度和角度，因此在控片上沉积后可以从上述刻度和角度中读取出沉积偏移的方向及偏移量，便可以有目的的量化调整机台手臂或其它相关部件，得以提高调整效率和准确性。

主权项

1. 一种校正金属薄膜沉积位置的控片，其特征在于在控片表面上设置有：定位标记；多组临近控片边缘的刻度标记，各组刻度标记标示出距控片边缘的多个可读取的距离值，以控片中心为顶点，上述多组刻度标记之间形成预定角度。