发明名称 在铜表面形成精氨酸自组装缓蚀膜的方法
摘要 本发明公开了一种在铜表面形成精氨酸自组装缓蚀膜的方法,包括下列步骤:a.将纯铜先经1#~6#逐级打磨抛光、无水乙醇除油、去离子水洗净后,备用;b.浓度为1×10<sup>-2</sup>mol/L~1×10<sup>-4</sup>mol/L的精氨酸溶液和浓度为5×10<sup>-3</sup>mol/L的KI溶液组成了混合自组装溶液;c.将铜浸泡在混合自组装溶液中,浸泡温度为室温,组装时间为2~6h。本发明采用的缓蚀剂精氨酸是一种绿色、环保型缓蚀剂,对环境没有危害。电化学数据表明铜在精氨酸组装溶液中的最佳组装浓度为10<sup>-3</sup>mol/L,当有碘离子加入到组装溶液中时,组装膜的缓蚀效率得到大大的提高。
申请公布号 CN101487124A 申请公布日期 2009.07.22
申请号 CN200810202851.9 申请日期 2008.11.18
申请人 上海电力学院 发明人 张大全;何先明;蔡奇睿;高立新
分类号 C23F11/00(2006.01)I 主分类号 C23F11/00(2006.01)I
代理机构 上海申汇专利代理有限公司 代理人 吴宝根
主权项 1. 一种在铜表面形成精氨酸自组装缓蚀膜的方法,包括下列步骤:a. 将纯铜先经1#~6#逐级打磨抛光、无水乙醇除油、去离子水洗净后,备用;b. 浓度为1×10-2mol/L~1×10-4mol/L的精氨酸溶液和浓度为5×10-3mol/L的KI溶液组成了混合自组装溶液;c. 将铜浸泡在混合自组装溶液中,浸泡温度为室温,组装时间为2~6h。
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