| 发明名称 | 超导导线及其用途与制造工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及超导导线及其用途与制造工艺，具体而言，一种电气构件包括超导导线(10)，该导线(10)包括连接在第二导线段(14)上的第一导线段(12)；其中，第一导线段(12)和第二导线段(14)在选自于包括磁场耐受性、温度耐受性、交流损耗和应变耐受性等的组的至少一种特性方面是有差异的；而其中，磁场耐受性通过处于临界温度Tc以下的给定温度T处的临界电流Ic对磁场H的关系来测量，温度耐受性通过处于Hc以下的给定磁场处的临界电流Ic对温度T的关系来测量，交流损耗通过与所施加的交流电流及场的频率及大小对应的交流损耗的量来测量，而应变耐受性通过Ic随应变的下降来测量。 | ||
| 申请公布号 | CN101488379A | 申请公布日期 | 2009.07.22 |
| 申请号 | CN200910003777.2 | 申请日期 | 2009.01.19 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | J·W·布雷;E·T·拉斯卡里斯;K·斯瓦苏布拉马尼亚姆 |
| 分类号 | H01B12/02(2006.01)I;H01F6/06(2006.01)I | 主分类号 | H01B12/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 曾祥夌;杨松龄 |
| 主权项 | 1. 一种包括超导导线(10)的电气构件，所述导线包括：连接在第二导线段(14)上的第一导线段(12)；其中，所述第一导线段(12)和所述第二导线段(14)在选自于包括磁场耐受性、温度耐受性、交流损耗和应变耐受性等的组的至少一种特性方面是有差异的；并且其中所述磁场耐受性通过处于Tc以下的给定温度T处的临界电流Ic对磁场H的关系来测量，所述温度耐受性通过处于Hc以下的给定磁场处的临界电流Ic对温度T的关系来测量，所述交流损耗通过与所施加的交流电流及场的频率及大小对应的交流损耗的量来测量，而所述应变耐受性通过随应变的Ic下降来测量。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||