发明名称 场发射显示器的制造方法
摘要 本发明提供一种场发射显示器的制造方法,其包括下列步骤:步骤一,提供一绝缘基板,其具有相对的两平整表面;步骤二,在所述绝缘基板的两平整表面分别形成一层金属膜;步骤三,在所述一层金属膜上利用光刻方法形成条形栅极;步骤四,在所述条形栅极及绝缘基板另一表面的金属膜相互对应的位置蚀刻去除部分金属层,然后穿透绝缘基板形成通孔,从而得到条形栅极和聚焦电极一体的电极模组;步骤五,将上述电极模组、场发射阴极以及荧光屏经过对准、封装形成场发射显示器。本发明方法可以避免多次对准,简化制造工艺,提高产率,降低成本。
申请公布号 CN100517549C 申请公布日期 2009.07.22
申请号 CN200410027905.4 申请日期 2004.06.25
申请人 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 发明人 魏洋;刘亮;范守善
分类号 H01J9/00(2006.01)I;H01J31/12(2006.01)I 主分类号 H01J9/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 1.一种场发射显示器的制造方法,其特征在于包括以下步骤:步骤一,提供一绝缘基板,其具有相对的两平整表面;步骤二,在所述绝缘基板的两平整表面分别形成一层金属膜;步骤三,在所述一层金属膜上利用光刻方法形成条形栅极;步骤四,在所述条形栅极及绝缘基板另一表面的金属膜相互对应的位置蚀刻去除部分金属层,然后穿透绝缘基板形成通孔,从而得到条形栅极和聚焦电极一体的电极模组;步骤五,将上述电极模组、场发射阴极以及荧光屏经过对准、封装形成场发射显示器。
地址 100084北京市海淀区清华大学物理系