蚀刻铝垫层的方法及凸点的形成方法

摘要

一种蚀刻铝垫层的方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成铝垫层和钝化层以及介质层，所述铝垫层镶嵌于钝化层中，且通过钝化层和介质层的第一开口暴露出铝垫层；采用氩等离子体蚀刻铝垫层，产生所述氩等离子体的产生功率(MF)为600至800W，对氩等离子体进行加速的加速功率(RF)为100至600W，蚀刻时间为55至100s。本发明还提供一种凸点的形成方法。与现有技术相比，本发明降低了产生氩等离子体的产生功率(MF)和对氩等离子体加速的加速功率(RF)以及蚀刻铝垫层的时间，避免了现有技术中由于过度蚀刻铝垫层造成铝垫层表面粗糙问题。

主权项

1.一种蚀刻铝垫层的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成铝垫层和钝化层以及介质层，所述铝垫层镶嵌于钝化层中，所述介质层位于钝化层上；在介质层以及钝化层中形成第一开口，所述第一开口暴露出铝垫层；采用氩等离子体蚀刻铝垫层，产生氩等离子体的产生功率为600至780W，对氩等离子体加速的加速功率为100至500W，蚀刻时间为55至100s。