半导体芯片的制造方法及半导体芯片

摘要

对半导体晶片的第二表面上进行等离子体蚀刻，所述半导体晶片具有第一表面和第二表面，第一表面上的分割区域布置有绝缘膜，第二表面上布置有限定所述分割区域的掩模，第二表面与第一表面相对设置，通过去除与分割区域对应的部分从蚀刻的底部露出所述绝缘膜。此后，在因等离子体中的离子而用电荷对露出的绝缘膜表面充电的状态中连续地进行等离子体蚀刻，去除器件形成区域中与绝缘膜接触的角部。由此制造具有高抗破碎强度的、单个半导体芯片。

主权项

1.一种半导体芯片的制造方法，包括：在半导体晶片的第二表面上进行等离子体蚀刻，所述半导体晶片具有第一表面和第二表面，所述第一表面上形成有布置在由分割区域限定的多个器件形成区中的半导体器件和布置在分割区域中的绝缘膜，所述第二表面上布置有用于限定所述分割区域的掩模，所述第二表面与所述第一表面相对设置，由此去除与所述分割区域对应的部分，并从蚀刻的底部露出所述绝缘膜；通过在因等离子体中的离子而用电荷对所述绝缘膜的露出表面充电的状态中连续地进行等离子体蚀刻，去除所述器件形成区域中与所述绝缘膜接触的角部；和随后，去除露出的绝缘膜，使得器件形成区域被分割成个体，由此制造半导体芯片，每个半导体芯片包括单个半导体器件。