半导体激光器

摘要

本发明得到将镀膜的反射率设定在3～13％的范围内，并防止镀膜剥离，且可确保半导体激光器的可靠性的半导体激光器。在射出激光的前端面形成了镀膜的GaN类的半导体激光器中，镀膜包括与前端面相接的第一绝缘膜和形成在第一绝缘膜上的第二绝缘膜，对于半导体激光器的激光波长λ，第二绝缘膜的光学膜厚为λ/4的奇数倍，第一绝缘膜对GaN的密合性强于第二绝缘膜，第二绝缘膜的折射率为2～2.3，第一绝缘膜的膜厚为10nm以下，第一绝缘膜为化学计量成分的氧化膜。

主权项

1. 一种在射出激光的前端面形成了镀膜的GaN类的半导体激光器，其特征在于：所述镀膜包括与所述前端面相接的第一绝缘膜和在所述第一绝缘膜上形成的第二绝缘膜，对于所述半导体激光器的激光波长λ，所述第二绝缘膜的光学膜厚为λ/4的奇数倍，所述第一绝缘膜对GaN的密合性强于所述第二绝缘膜，所述第二绝缘膜的折射率为2～2.3，所述第一绝缘膜的膜厚为10nm以下，所述第一绝缘膜是化学计量成分的氧化膜。