| 发明名称 | 低成本高传导性腔室 | ||
| 摘要 | 公开一种具有高传导性的处理腔室以及制造该处理腔室的方法。该处理腔室由单片铝加工，其中处理空穴和抽吸空穴通过使圆柱体交叉而产生。还在处理空穴底部产生衬底开口以提供管道，用于例如冷却气体和电连接。在抽吸空穴和处理空穴之间的抽吸空穴顶部处形成大的底切区。底切延伸经过处理空穴处的处理腔室中心线。使用圆锯移除材料并产生延伸至处理空穴中心线以外的气室。 | ||
| 申请公布号 | CN101488448A | 申请公布日期 | 2009.07.22 |
| 申请号 | CN200810246377.X | 申请日期 | 2008.12.17 |
| 申请人 | 因特瓦克公司 | 发明人 | T·萨米尔;M·S·巴恩斯;T·布鲁克 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;B23C3/00(2006.01)I;B23D45/00(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I;C23C14/00(2006.01)I;C23C16/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 刘佳斐;蔡胜利 |
| 主权项 | 1、一种腔室，包括：腔室本体，包括：限定处理空穴的第一圆柱形切口；限定抽吸空穴的第二圆柱形切口，该第二圆柱形切口与该第一圆柱形切口部分地交叉以在它们之间形成流体管道；以及底切，将该第一圆柱形切口连接到该第二圆柱形切口并扩大该流体管道。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||