| 发明名称 | 用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料，其组分为Si<sub>c</sub>Sb<sub>a</sub>Se<sub>b</sub>，其中，48≤b≤60，20≤a≤40，8≤c≤40，a+b+c＝100；或60≤b≤80，20≤a≤40，3≤c≤20，a+b+c＝100。与现有技术相比，本发明所述的Si-Sb-Se相变薄膜材料比常用的Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub>材料具有更快的结晶速度，可以有更快的读写速度，有着更好的数据保持特性，有着比SbSe两元材料更好的热稳定性。同时该材料不含元素Te，是一种环境友好材料，与CMOS工艺兼容性好。 | ||
| 申请公布号 | CN101488557A | 申请公布日期 | 2009.07.22 |
| 申请号 | CN200910046486.1 | 申请日期 | 2009.02.23 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 凌云;龚岳峰;宋志棠;封松林 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;C22C12/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 1、一种用于相变存储器的Si-Sb-Se相变薄膜材料，其特征在于：其组分为SicSbaSeb.，其中，48≤b≤60，20≤a≤40，8≤c≤40，a+b+c＝100；或60≤b≤80，20≤a≤40，3≤c≤20。 | ||
| 地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号 | ||