| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 在遮光的状态下，在氮气环境中，通过用加氢超纯水洗净硅表面，实现峰谷(P-V)值在0.3nm以下的平坦度，同时通过使电极和硅之间的功函数差在0.2eV以下，实现接触电阻在10<sup>-11</sup>Ωcm<sup>2</sup>以下。由此，可以得到能够以10GHz以上的频率动作的半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN101490823A | 申请公布日期 | 2009.07.22 |
| 申请号 | CN200780026534.X | 申请日期 | 2007.07.12 |
| 申请人 | 国立大学法人东北大学;财团法人国际科学振兴财团 | 发明人 | 大见忠弘;寺本章伸;黑田理人 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人 | 申 健 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，其特征在于，沟道区表面平坦度为在从源极向漏极的方向的2nm长度上的峰谷值在0.3nm以下。 | ||
| 地址 | 日本宫城县 | ||