| 发明名称 | 静电破坏保护装置 | ||
| 摘要 | 一种可充分保护被保护设备不被静电破坏并防止保护晶体管自身被破坏的静电破坏保护装置。作为保护晶体管的N沟道型第一MOS晶体管(TrA)以及第二MOS晶体管(TrB)在输出端子(100)和接地电位Vss之间串联地与输出端子(100)连接。作为保护晶体管的P沟道型第三MOS晶体管(TrC)以及第四MOS晶体管(TrD)在高电源电位HVdd和输出端子(100)之间串联地与输出端子(100)连接。上述第一、第二、第三、第四MOS晶体管(TrA、TrB、TrC、TrD)由低耐压的MOS晶体管构成。 | ||
| 申请公布号 | CN100517689C | 申请公布日期 | 2009.07.22 |
| 申请号 | CN200410089762.X | 申请日期 | 2004.11.05 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 安藤亮一;植本彰;垣内俊雄 |
| 分类号 | H01L23/60(2006.01)I;H01L23/62(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李贵亮;杨 梧 |
| 主权项 | 1.一种静电破坏保护装置，其特征在于，具有与被保护设备连接的端子和在该端子和规定的电位之间串联的多个保护晶体管，该保护晶体管是低耐压MOS晶体管，所述保护晶体管的衬底连接到该保护晶体管和其所邻接的保护晶体管的连接点上。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||