发明名称 掺杂的钛钴锑基热电复合材料及其制备方法
摘要 本发明涉及一类掺杂的钛钴锑基热电复合材料及其制备方法,其特征在于所述热电复合材料组成通式为Ti<sub>1+x</sub>Co<sub>y</sub>(Me)<sub>1-y</sub>Sb<sub>z</sub>(Me’)<sub>1-z</sub>,式中x=0.05-0.20,y=0.80-1.0,z=0.85-1.0;Me为Ni、Fe、Pd和Pt中的一种;Me’为Sn、Te和Ge中的一种,x、y、z为摩尔百分比,其制备方法特征是按组成式配料,压制成片状,然后经二次熔炼制得分散均匀的纳米级TiO<sub>2</sub>颗粒,在利用掺杂提高基体材料电传输性能的同时,大幅降低材料的晶格热导率,从而提高材料的热电性能。
申请公布号 CN100516265C 申请公布日期 2009.07.22
申请号 CN200610117816.8 申请日期 2006.10.31
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明人 陈立东;吴汀;柏胜强;赵雪盈
分类号 C22C12/00(2006.01)I;C22C30/00(2006.01)I;C22C1/02(2006.01)I 主分类号 C22C12/00(2006.01)I
代理机构 上海智信专利代理有限公司 代理人 潘振甦
主权项 1、一种掺杂的钛钴锑基热电复合材料的制备方法,其特征在于制备步骤是:①采用Ti、Co、Sb和掺杂元素Me和Me’按Ti1+xCoy(Me)1-ySbz(Me’)1-z组成通式摩尔百分比配料,混匀后压制成片状,放入电弧熔炼炉中;所述的Ti、Co、Sb和掺杂元素Me及Me’的纯度均大于或等于99.9%;所述的Me为Ni、Fe、Pd或Pt;Me’为Sn、Te或Ge;0.05≤x≤0.20;0.80≤y≤1.0;0.85≤z≤1.0;②第一次熔炼:电弧熔炼炉内抽真空,真空度小于1Pa,然后充入高纯氩气,使原料在熔融状态下化学反应,形成Ti1+xCoy(Me)1-ySbz(Me’)1-z化合物基体相;③第二次熔炼,由步骤②熔炼的材料冷却后,抽真空,然后充入氧气,氧气的充入量控制在过量Ti摩尔数的10-100%,再充入高纯氩气进行第二次熔炼,熔炼过程翻转样品,反复熔炼1-5次,使氧气与过量Ti反应充分;所述的过量Ti是指按①中Ti的组份为基准的,0.05≤x≤0.20。
地址 200050上海市长宁区定西路1295号
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