| 发明名称 | 等离子体源 | ||
| 摘要 | 本发明涉及等离子体源，该等离子体源为使用天线(11)和射频源(12)的等离子体发生装置(13)。产生的等离子体流入腔室(14)中，并且在离开腔室(14)时经由格栅(15)加速。挡板16位于腔室内来产生局部离子损失从而减小局部等离子体密度。 | ||
| 申请公布号 | CN101490794A | 申请公布日期 | 2009.07.22 |
| 申请号 | CN200780027453.1 | 申请日期 | 2007.07.06 |
| 申请人 | 阿维扎技术有限公司 | 发明人 | 加里·普劳德富特;克里斯托弗·戴维·乔治;保罗·埃杜拉多·利马 |
| 分类号 | H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 | 代理人 | 景全斌 |
| 主权项 | 1、一种等离子体源，包括等离子体发生装置，该等离子体发生装置包括具有一定体积的等离子体腔室，和位于腔室中引起局部离子损失从而减小局部等离子体密度并决定经过腔室后的等体离子密度梯度的挡板。 | ||
| 地址 | 英国格温特郡 | ||