光电二极管阵列、其制造方法和放射线检测器

摘要

在光电二极管阵列(1)中，将通过从被检测光的入射面侧变薄所形成的入射面侧凹部(7)排列成阵列状，将通过从入射面的相反面侧变薄对应于形成入射面侧凹部7的区域的区域所形成的相反面侧凹部(11)排列成阵列状。通过在相反面侧凹部11的底部形成pn结(3)，将pn结型的光电二极管排列成阵列状。

主权项

1. 一种光电二极管阵列，其特征在于，配备半导体基板，在被检测光的入射面的相反面侧，将pn结型的多个光电二极管形成阵列状，所述半导体基板通过从所述被检测光的入射面侧变薄形成有所述多个光电二极管的区域，夹在形成有该多个光电二极管的区域中的区域变为朝向所述被检测光的入射面侧凸出的凸部，在所述凸部和所述半导体基板的变薄的部分的光入射面侧，形成导电类型与所述光电二极管的所述被检测光的入射面侧相同的高浓度杂质区域。