| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明能够控制栅电极的有效功函数以使晶体管具有最佳的工作阈值电压。一种半导体器件包括：半导体衬底；在半导体衬底上提供的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上提供的栅电极；在栅电极两侧的半导体衬底中提供的源极/漏极区；和在栅电极和栅极绝缘膜之间的界面处提供的层，该层包含具有与构成栅电极和栅极绝缘膜的元素的电负性不同的电负性的元素。 | ||
| 申请公布号 | CN100517751C | 申请公布日期 | 2009.07.22 |
| 申请号 | CN200610151892.0 | 申请日期 | 2006.09.13 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 土屋义规;吉木昌彦 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 康建忠 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底上提供的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上提供的栅电极；在栅电极两侧的半导体衬底中提供的源极/漏极区；和在栅电极和栅极绝缘膜之间的界面处提供的层，该层包含具有与构成栅电极和栅极绝缘膜的元素的电负性不同的电负性的元素，其中，在栅电极和栅极绝缘膜之间的界面处，具有与构成栅电极和栅极绝缘膜的元素的电负性不同的电负性的元素的最大面密度大于等于1×1013cm-2但小于等于1×1015cm-2。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||