半导体结构

摘要

本发明提供一种半导体结构。高压金属氧化物半导体装置用作该半导体结构，包括：第一高压阱区，形成于衬底上；第二高压阱区；具有与该第一及第二高压阱区相反导电类型的第三高压阱区，其中该高压P型阱区有至少一部分位于该第一高压N型阱区与该第二高压N型阱区之间；绝缘区，位于该第一高压N型阱区、该第二高压N型阱区、及该高压P型阱区中；栅极介电层，覆盖该第一高压N型阱区，并延伸至该第二高压N型阱区；栅极，形成于该栅极介电层上；以及遮蔽图案，与该栅极电性绝缘，覆盖该绝缘区。进一步地，该栅极与该遮蔽图案间具有小于0.4微米的间距。该遮蔽图案还耦接小于该栅极应力电压的电压。本发明能够消除热偏压应力测试所引起的漏电流。

主权项

1.一种半导体结构，包括：衬底；第一导电类型的第一高压阱区，形成于该衬底上；第一导电类型的第二高压阱区，形成于该衬底上；第三高压阱区形成于该衬底上，其中该第三高压阱区为与该第一导电类型相反的第二导电类型，而其中该第三高压阱区有至少一部分位于该第一高压阱区与该第二高压阱区之间；绝缘区，位于该第一高压阱区、该第二高压阱区、以及该第三高压阱区中；栅极介电层，覆盖该第三高压阱区，并延伸至该第一高压阱区及该第二高压阱区；栅极，形成于该栅极介电层上；遮蔽图案，形成于该绝缘区上，由一导体材料形成，其中该遮蔽图案与该栅极电性绝缘，而其中该栅极与该遮蔽图案之间具有小于0.4微米的间距。