| 发明名称 | 生产具有改善的载流子寿命的基底的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及在基底上沉积碳化硅材料的方法，使得所得基底具有0.5-1000微秒的载流子寿命，所述方法包括：a.将包括氯代硅烷气体、含碳气体和氢气的气体混合物引入到含有基底的反应室中；和b.将基底加热到大于1000℃但小于2000℃的温度；条件是反应室内的压力保持在0.1-760托的范围内。本发明还涉及在基底上沉积碳化硅材料的方法，使得所得基底具有0.5-1000微秒的载流子寿命，所述方法包括：a.将包括非氯化的含硅气体、氯化氢、含碳气体和氢气的气体混合物引入到含有基底的反应室中；和b.将基底加热到大于1000℃但小于2000℃的温度；条件是反应室内的压力保持在0.1-760托的范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN101490315A | 申请公布日期 | 2009.07.22 |
| 申请号 | CN200780027337.X | 申请日期 | 2007.07.17 |
| 申请人 | 陶氏康宁公司 | 发明人 | G·钟;M·罗伯达 |
| 分类号 | C30B25/02(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 张 钦 |
| 主权项 | 1. 在基底上沉积碳化硅涂层的方法，使得所得涂层具有0.5-1000微秒的载流子寿命，所述方法包括：a. 将包括氯代硅烷气体、含碳气体和氢气的气体混合物引入到含有基底的反应室中；b. 将基底加热到大于1000℃但小于2000℃的温度；条件是反应室内的压力保持在0.1-760托的范围内。 | ||
| 地址 | 美国密执安 | ||