| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括提供一半导体衬底，在所述衬底表面形成栅极；形成覆盖所述衬底和栅极表面的高介电常数氧化层；形成覆盖所述氧化层的氮化硅层；刻蚀所述氧化层和氮化硅层形成侧壁间隔物；在所述侧壁间隔物两侧的衬底中形成源极和漏极；形成自对准阻挡层覆盖所述衬底、侧壁间隔物和栅极表面；利用所述自对准阻挡层为掩膜在所述栅极、源极和漏极表面形成金属硅化物；移除所述自对准阻挡层。本发明能够在利用自对准工艺形成金属硅化物的过程中有效地避免侧壁间隔物下方凹陷的产生。 | ||
| 申请公布号 | CN100517618C | 申请公布日期 | 2009.07.22 |
| 申请号 | CN200610119141.0 | 申请日期 | 2006.12.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张海洋;韩秋华;杜珊珊;韩宝东 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件的制造方法：包括提供一半导体衬底，在所述衬底表面形成栅极；形成覆盖所述衬底和栅极表面的高介电常数氧化层；形成覆盖所述氧化层的氮化硅层；刻蚀所述氧化层和所述氮化硅层形成侧壁间隔物；在所述侧壁间隔物两侧的衬底中形成源极和漏极；形成自对准阻挡层覆盖所述衬底、侧壁间隔物和栅极表面；在所述栅极、源极和漏极表面形成金属硅化物；移除所述自对准阻挡层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||