发明名称 |
横向电场型液晶显示器装置 |
摘要 |
一种横向电场型LCD装置使增加设计该装置组成元件的自由度和相对于相关技术的LCD结构容易地改善孔径比成为可能。漏极总线由至少一个第一液晶驱动电极(如,公共电极)完全覆盖。对应于每个像素区域的栅极总线除了存在于不与对应的TFT叠置的部分中的预定非叠置区域之外,均由所述至少一个第一液晶驱动电极覆盖。对应于每个像素区域的所述栅极总线的所述预定非叠置区域由对应于邻近像素区域的存储电容电极覆盖。优选地,所述至少一个第一液晶驱动电极包括分别暴露所述TFTs的沟道区域的开口。 |
申请公布号 |
CN101487958A |
申请公布日期 |
2009.07.22 |
申请号 |
CN200910002109.8 |
申请日期 |
2009.01.15 |
申请人 |
NEC液晶技术株式会社 |
发明人 |
铃木照晃;伊藤英毅;高桥聪之助;西田真一;坂口嘉一 |
分类号 |
G02F1/1343(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1343(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
孙纪泉 |
主权项 |
1. 一种横向电场型液晶显示器装置,包括:第一基板和第二基板,所述第一基板和第二基板以近似恒定的间隙彼此相对设置;液晶层,所述液晶层形成在所述第一基板和第二基板之间;形成在所述第一基板上的漏极总线;栅极总线,所述栅极总线以与所述漏极总线交叉的方式形成在所述第一基板上;像素区域,所述像素区域由所述漏极总线和所述栅极总线限定成矩阵阵列;形成在所述第一基板上的至少一个第一液晶驱动电极和多个第二液晶驱动电极;薄膜晶体管,所述薄膜晶体管形成在所述第一基板上,用于各个像素区域;及存储电容电极,所述存储电容电极形成在所述第一基板上,用于各个像素区域;其中通过采用所述至少一个第一液晶驱动电极和所述第二液晶驱动电极向液晶层施加液晶驱动电场,使存在于所述液晶层中的液晶分子的对准方向在近似平行于所述第一基板和第二基板的平面内旋转,从而显示图像;所述漏极总线由所述至少一个第一液晶驱动电极完全覆盖;对应于每个像素区域的所述栅极总线除了存在于不与对应的薄膜晶体管叠置的部分中的预定非叠置区域之外,均由所述至少一个第一液晶驱动电极覆盖;且对应于每个像素区域的所述栅极总线的所述预定非叠置区域由对应于邻近像素区域的所述存储电容电极覆盖。 |
地址 |
日本神奈川县 |