发明名称 一种上转换太阳能电池
摘要 本发明公开了一种上转换太阳能电池,涉及太阳能电池。上转换硅太阳能电池它是直接在硅太阳能电池(2)的背光面,用旋涂或丝网印刷的方法,用纳米上转换发光材料制备的纳米上转换发光层(3);太阳光(1)从硅太阳能电池(2)的正面入射。所述的纳米上转换发光层(3)的材料为铒离子掺杂的二氧化硅-氟化镧纳米晶玻璃陶瓷,或者是铒离子、镱离子共同掺杂的二氧化硅-氟化镧纳米晶玻璃陶瓷,或者是铒离子掺杂的硫化锌。纳米发光层的厚度为0.5~2微米。该上转换硅太阳能电池把硅太阳能电池不能有效吸收的低能量光子转换成硅太阳能电池可以响应的高能量光子,扩展太阳能电池的光谱响应范围,提高单位面积的太阳光使用效率,降低成本。
申请公布号 CN101488533A 申请公布日期 2009.07.22
申请号 CN200910078549.1 申请日期 2009.02.26
申请人 北京交通大学 发明人 赵谡玲;徐征;张福俊;徐叙瑢
分类号 H01L31/055(2006.01)I 主分类号 H01L31/055(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 1. 一种上转换太阳能电池,其特征是:直接在硅太阳能电池(2)的背光面,用旋涂或丝网印刷的方法,用纳米上转换发光材料制备纳米上转换发光层(3)。
地址 100044北京市海淀区西直门外上园村3号
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