发明名称 一种复合式场致发射阴极结构及其制备方法
摘要 一种复合式场致发射阴极结构及其制备方法,其制备的方法为:a)在阴极基板(1)上采用印刷或者镀膜的方法制备阴极电极(2);b)在阴极电极上(2)上采用丝网印刷的方法制备碳纳米管过渡层(3),c)自然冷却基板(1)及碳纳米管过渡层(3),在冷却后的碳纳米管过渡层(3)上丝网印刷氧化锌发射层(4),d)将阴极基板(1)、阴极电极(2)、碳纳米管过渡层(3)及纳米结构氧化锌发射层(4)组成的场致发射阴极置于烧结炉中烘烤;e)自然冷却基板(1)、阴极电极(2)、碳纳米管过渡层(3)和纳米结构氧化锌场发射层(4)组成的场致发射阴极至室温,形成复合式场致发射阴极结构;f)在阴极基板(1)上制备隔离体(5),g)在隔离体(5)上设置导电的阳极基板(6)。
申请公布号 CN101488431A 申请公布日期 2009.07.22
申请号 CN200910024466.4 申请日期 2009.02.23
申请人 东南大学 发明人 雷威;张晓兵;孙小卫;娄朝刚
分类号 H01J1/304(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I 主分类号 H01J1/304(2006.01)I
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人 叶连生
主权项 1、一种复合式场致发射阴极结构,其特征是该结构以阴极基板(1)为基板,在阴极基板(1)上设有阴极电极(2),在阴极电极上设有碳纳米管过渡层(3),在碳纳米管过渡层(3)上设有纳米结构的氧化锌场致发射层(4)组成场致发射阴极,在场致发射阴极上设有隔离体(5),在隔离体(5)上设导电的阳极基板(6)组成复合式场致发射阴极结构。
地址 211109江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号
您可能感兴趣的专利