发明名称 |
一种复合式场致发射阴极结构及其制备方法 |
摘要 |
一种复合式场致发射阴极结构及其制备方法,其制备的方法为:a)在阴极基板(1)上采用印刷或者镀膜的方法制备阴极电极(2);b)在阴极电极上(2)上采用丝网印刷的方法制备碳纳米管过渡层(3),c)自然冷却基板(1)及碳纳米管过渡层(3),在冷却后的碳纳米管过渡层(3)上丝网印刷氧化锌发射层(4),d)将阴极基板(1)、阴极电极(2)、碳纳米管过渡层(3)及纳米结构氧化锌发射层(4)组成的场致发射阴极置于烧结炉中烘烤;e)自然冷却基板(1)、阴极电极(2)、碳纳米管过渡层(3)和纳米结构氧化锌场发射层(4)组成的场致发射阴极至室温,形成复合式场致发射阴极结构;f)在阴极基板(1)上制备隔离体(5),g)在隔离体(5)上设置导电的阳极基板(6)。 |
申请公布号 |
CN101488431A |
申请公布日期 |
2009.07.22 |
申请号 |
CN200910024466.4 |
申请日期 |
2009.02.23 |
申请人 |
东南大学 |
发明人 |
雷威;张晓兵;孙小卫;娄朝刚 |
分类号 |
H01J1/304(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01J1/304(2006.01)I |
代理机构 |
南京经纬专利商标代理有限公司 |
代理人 |
叶连生 |
主权项 |
1、一种复合式场致发射阴极结构,其特征是该结构以阴极基板(1)为基板,在阴极基板(1)上设有阴极电极(2),在阴极电极上设有碳纳米管过渡层(3),在碳纳米管过渡层(3)上设有纳米结构的氧化锌场致发射层(4)组成场致发射阴极,在场致发射阴极上设有隔离体(5),在隔离体(5)上设导电的阳极基板(6)组成复合式场致发射阴极结构。 |
地址 |
211109江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号 |