| 发明名称 | 制备可畸变的光学元件阵列的方法 | ||
| 摘要 | 一种制备可畸变的光学元件(20)阵列(18)的方法。该方法包括的步骤是提供具有第一表面的基片，控制加工基片第一表面上的局部区域；其中第一表面上带有形成元件。控制加工的程度足以使围绕局部区域的受影响位置上的一个或多于一个形成元件发生畸变。 | ||
| 申请公布号 | CN101490584A | 申请公布日期 | 2009.07.22 |
| 申请号 | CN200780027091.6 | 申请日期 | 2007.07.05 |
| 申请人 | 艾利丹尼森公司 | 发明人 | S·R·查普曼;K（·K）·黄;F·吴 |
| 分类号 | G02B5/124(2006.01)I;B29D11/00(2006.01)I | 主分类号 | G02B5/124(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 1. 一种制备可畸变的光学元件(20)阵列(18)的方法，所述方法的步骤包括：提供基片(110/210)，所述基片(110/210)具有在其上带有形成元件(120/220)的第一表面(116/216)，其中所述形成元件(120/220)的几何形状相当于模拟阵列(18′)中无畸变光学元件(20′)的几何形状；加工所述基片(110/210)的所述第一表面上的局部区域(130/230)，所述加工的程度足以使包括和围绕所述局部区域(130/230)的受影响位置(140/240)上的所述形成元件(120/220)发生畸变；将所述如此加工的基片(110/210)、或其一个或多个复制品组装到生产工具(M10)上；及使用所述生产工具(M10)形成反向反射元件(20)的阵列(18)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||