| 发明名称 | 利用在氢气环境中退火在碳化硅层上制备氧化物层的方法 | ||
| 摘要 | 通过在一层碳化硅上制备氮化的氧化物层和在含氢气环境中退火该氮化的氧化物层，制备了碳化硅结构。氮化的氧化物层的制备可以通过以下过程提供：在氧化一氮和一氧化二氮至少之一中形成氧化物层和/或在氧化一氮和一氧化二氮至少之一中退火氧化物层。另外，氮化的氧化物层可以通过以下过程提供：制备氧化物层并在氧化物层上制备氮化物层以便提供氮化的氧化物层，在其上制备了氮化物层。此外，退火该氧化物层可以作为单独的步骤提供，和/或与另一个步骤如制备氮化物层或进行接触退火基本同时提供。氢气环境可以是纯氢气、与其它气体组合的氢气和/或得自氢气前驱体。400℃或更高的退火温度是优选的。 | ||
| 申请公布号 | CN100517607C | 申请公布日期 | 2009.07.22 |
| 申请号 | CN02808107.2 | 申请日期 | 2002.04.12 |
| 申请人 | 克里公司 | 发明人 | L·A·利普金;M·K·达斯 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 周慧敏;王其灏 |
| 主权项 | 1.一种在碳化硅电子器件中形成绝缘体的方法，包括：在一层4H多型体碳化硅上制备氮化的氧化物层；和在含H2的环境中退火该氮化的氧化物层，其中制备氮化的氧化物层的步骤包括以下至少之一：在氧化一氮和一氧化二氮至少之一中形成氧化物层和在氧化一氮和一氧化二氮至少之一中退火存在的氧化物层。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗来纳州 | ||