发明名称 |
互补动态存储器单元 |
摘要 |
本发明公开了一种互补动态存储器单元,这种单元的随机存取周期低于传统结构的八分之一。本发明互补动态存储器单元包括:一个存储单元和一个互补存储单元;连接所述存储单元和所述互补存储单元的控制栅极的字线;连接所述存储单元的漏极的位线;连接所述互补存储单元的漏极的互补位线;其中,由存储单元和互补存储单元上存储的电荷产生差分电压,该差分电压通过位线和互补位线传送给灵敏放大器。 |
申请公布号 |
CN100517501C |
申请公布日期 |
2009.07.22 |
申请号 |
CN200610007973.3 |
申请日期 |
2006.02.24 |
申请人 |
北京芯技佳易微电子科技有限公司 |
发明人 |
朱一明 |
分类号 |
G11C11/401(2006.01)I;G11C11/4063(2006.01)I;G11C11/406(2006.01)I;G11C11/24(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/401(2006.01)I |
代理机构 |
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
孙皓晨;贺华廉 |
主权项 |
1.一种互补动态存储器单元,其特征在于:其包括:一个存储单元(A)和一个互补存储单元(B),其中,所述的存储单元(A)和互补存储单元(B)分别包括:一控制MOS管和一存储MOS管;所述控制MOS管的漏极连接所述位线(BL,BL_B),所述控制MOS管的栅极连接所述字线(WL);所述存储MOS管的栅极接负电压,所述存储MOS管的漏极或源极连接所述控制MOS管的源极,由此形成存储电容;其中,通过位线(BL)和互补位线(BL_B)上的电位分别与存储单元(A)和互补存储单元(B)上的电位发生电荷共享,使存储单元(A)与互补存储单元(B)之间产生差分电压。 |
地址 |
100084北京市清华科技园学研大厦B座301室 |