制造非易失性存储器件的方法

摘要

一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：提供其中在有源区形成隧道绝缘层和电荷储存层、并在分隔区中形成分隔层的半导体衬底，在包括所述电荷储存层的半导体衬底上形成介电层，蚀刻所述介电层、所述电荷储存层和一部分所述隧道绝缘层使得所述半导体衬底被暴露，从而形成接触孔，在所暴露的半导体衬底中形成第一结区，在包括所述第一结区的半导体衬底上形成用于控制栅极的导电层使得所述接触孔被填充，和使所述导电层、所述介电层和所述电荷储存层图案化已形成选择线和字线，并且同时在第一结区上形成接触栓塞。

主权项

1.一种制造非易失性存储器件的方法，该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成隧道绝缘层、电荷储存层和介电层；蚀刻一部分绝缘层、电荷储存层和隧道绝缘层，以形成暴露所述半导体衬底的接触孔；在所暴露的半导体衬底中形成第一结区；在所述介电层上形成用于控制栅极的导电层以形成单元栅，在第一结区上形成用于控制栅极的导电层以填充所述接触孔；使导电层、介电层和电荷储存层图案化以形成选择线和字线，以及接触栓塞。