发明名称 半导体元件的处理方法以及半导体元件的形成方法
摘要 本发明涉及一种半导体元件的处理方法以及半导体元件的形成方法,主要是在保护层形成于导电部分之前,先以溶液处理该导电部分的顶部表面,其中该溶液包括:清洁剂以及化学接枝前驱物。溶液中可包括整平湿润剂,用来改善该化学接枝前驱物覆盖的均匀度。上述的处理方法能使保护层均匀地覆盖在导体部分上。
申请公布号 CN100517610C 申请公布日期 2009.07.22
申请号 CN200610004718.3 申请日期 2006.01.27
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 石健学;苏鸿文;蔡明兴
分类号 H01L21/321(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L21/321(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 王玉双;高龙鑫
主权项 1.一种半导体元件的处理方法,包括:提供半导体元件,具有至少一导电部分;以及在该导电部分上形成保护层前,以溶液处理该导电部分的表面,其中该溶液包括清洁剂以及化学接枝前驱物,该化学接枝前驱物用以改善该保护层在该导电部分上形成的选择性,以及改善该保护层的覆盖均匀性。
地址 中国台湾新竹市