发明名称 |
半导体元件的处理方法以及半导体元件的形成方法 |
摘要 |
本发明涉及一种半导体元件的处理方法以及半导体元件的形成方法,主要是在保护层形成于导电部分之前,先以溶液处理该导电部分的顶部表面,其中该溶液包括:清洁剂以及化学接枝前驱物。溶液中可包括整平湿润剂,用来改善该化学接枝前驱物覆盖的均匀度。上述的处理方法能使保护层均匀地覆盖在导体部分上。 |
申请公布号 |
CN100517610C |
申请公布日期 |
2009.07.22 |
申请号 |
CN200610004718.3 |
申请日期 |
2006.01.27 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
石健学;苏鸿文;蔡明兴 |
分类号 |
H01L21/321(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/321(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
王玉双;高龙鑫 |
主权项 |
1.一种半导体元件的处理方法,包括:提供半导体元件,具有至少一导电部分;以及在该导电部分上形成保护层前,以溶液处理该导电部分的表面,其中该溶液包括清洁剂以及化学接枝前驱物,该化学接枝前驱物用以改善该保护层在该导电部分上形成的选择性,以及改善该保护层的覆盖均匀性。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |