沟槽式金氧半晶体管结构及其制程

摘要

一种沟槽式金氧半晶体管结构及其制程，其结构包括一基板顶端具有一磊晶层且具有复数个沟槽，该磊晶层顶端部具有复数个主体区，该磊晶层顶端面具有一绝缘层，该绝缘层顶端形成一第二金属阻障层，该第二金属阻障层顶端形成一铜金属层，该些主体区顶端部分别具有一源极区，该些沟槽中具有一栅极氧化层与复数个沟槽式栅极以作为金氧半晶体管的栅极；以及复数个接触沟槽中分别填充一第一金属阻障层与一金属接触层。其中该基板、该磊晶层以及该源极区为相同极性的半导体，该主体区为与该源极区相反极性的半导体，且该基板与该源极区的浓度高于该磊晶层，各个金属接触层底端分别接触所对应的该些源极区、所对应的该些主体区以及所对应的沟槽式栅极。

主权项

1、一种沟槽式金氧半晶体管结构，包括：一基板；一磊晶层顶端部，其形成于该基板顶端部；复数个沟槽，其形成于该磊晶层顶端部；一栅极氧化层，其形成于该些沟槽的侧壁以及底端部；复数个沟槽式栅极，其分别对应填满于该些沟槽中，并形成该金氧半晶体管的栅极；复数个主体区，其形成于该磊晶层顶端部；复数个源极区，其形成于对应的主体区顶端部；一绝缘层，其沉积形成于该磊晶层顶端面上；复数个接触沟槽，其贯穿形成于该绝缘层，且贯穿至所对应的该些主体区以及所对应的沟槽式栅极；复数个金属接触层，其分别为一金属部且填充于各个接触沟槽中，其底端并分别接触所对应的该些源极区、所对应的该些主体区以及所对应的沟槽式栅极；一第一金属阻障层，其形成于该接触沟槽的侧壁与底部，并接触所对应的该些源极区、所对应的该些主体区以及所对应的沟槽式栅极；一第二金属阻障层，其形成于该绝缘层顶端；以及一铜金属层，其形成于该第二金属阻障层顶端，并透过该金属接触层而电气连接至所对应的该些源极区、所对应的该些主体区以及所对应的沟槽式栅极；其中该基板、该磊晶层以及该源极区为相同极性的半导体，该主体区为与该源极区相反极性的半导体，且该基板与该源极区的浓度高于该磊晶层。