| 发明名称 | 背面晶圆切割 | ||
| 摘要 | 由刻划制程用于刻划具有减少或没有损坏或碎片至或在个别集成电路上的半导体晶圆(410)的系统与方法。该半导体晶圆(410)从其背部(430)刻划。在某一实施例，紧接在背部研磨制程后但在移除背部侧研磨带(426)前刻划晶圆(410)背部(430)。因此，防止自刻划制程产生的碎片在该晶圆(410)上部表面(412)沉积。为决定相对晶圆(410)背部(430)的切割巷或道(424)的位置，建构光(434)以照射晶圆(410)的上部(412)，该光穿过该研磨带(426)与晶圆(410)。侦测自晶圆(410)背部(430)的光(434)，并绘制相对背部(430)的道图。然后用锯(444)或激光切割晶圆(410)背部(430)。 | ||
| 申请公布号 | CN101490812A | 申请公布日期 | 2009.07.22 |
| 申请号 | CN200780026413.5 | 申请日期 | 2007.05.18 |
| 申请人 | 伊雷克托科学工业股份有限公司 | 发明人 | 理查·S.·哈洛斯;卢可伟 |
| 分类号 | H01L21/301(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/301(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 许 静 |
| 主权项 | 1. 一种切割半导体晶圆的方法，该半导体晶圆具有多个集成电路形成于其上部表面上或内，该集成电路由一或多个可见于半导体晶圆上部表面的道分隔，该方法包括：以光照射该半导体晶圆上部表面，部分光经一或多个道至半导体晶圆底部表面；将穿自半导体晶圆底部表面的部分光加以成像，以决定一或多个道相对该半导体晶圆底部表面的位置；以及对应于一或多个道的位置而切割该部分半导体晶圆底部表面。 | ||
| 地址 | 美国俄勒冈州 | ||