发明名称 具有提高电子迁移率的量子阱的显示基板和显示装置
摘要 本发明提供一种显示基板以及包括该显示基板的显示装置。所述显示基板包括:栅极布线;第一半导体图案,所述第一半导体图案形成在所述栅极布线上并且具有第一能带隙;第二半导体图案,所述第二半导体图案形成在所述第一半导体图案上并且具有第二能带隙,所述第二能带隙大于所述第一能带隙;数据布线,所述数据布线形成在所述第一半导体图案上;以及像素电极,所述像素电极与所述数据布线电连接。由于所述第二能带隙大于所述第一能带隙,因此在所述第一半导体图案中形成量子阱,从而提高其中的电子迁移率。
申请公布号 CN101487961A 申请公布日期 2009.07.22
申请号 CN200910002122.3 申请日期 2009.01.15
申请人 三星电子株式会社 发明人 尹甲洙;梁成勋;金成烈;吴和烈;崔在镐;崔龙模
分类号 G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/017(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I 主分类号 G02F1/1362(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 刘晓峰
主权项 1. 一种显示基板,所述显示基板包括:栅极布线;第一半导体图案,所述第一半导体图案形成在所述栅极布线上并且具有第一能带隙;第二半导体图案,所述第二半导体图案形成在所述第一半导体图案上并且具有第二能带隙,所述第二能带隙大于所述第一能带隙;数据布线,所述数据布线形成在所述第一半导体图案上;以及像素电极,所述像素电极与所述数据布线电连接。
地址 韩国京畿道