发明名称 |
碳纳米管制备装置及方法 |
摘要 |
本发明提供一种碳纳米管制备装置,其包括:一反应腔以及一个基底,该反应腔包括一对相对设置的进气口与排气口,其分别设在该反应腔的底部与顶部,该进气口用于通入碳源气,该基底设置在该反应腔内;一电极,其位于该反应腔内,且该电极与该基底平行,用于产生一垂直于该电极的电场,该电场方向平行于碳源气气流方向;以及至少一线圈,用于产生一垂直于该电极的磁场,且该磁场与所述电场的方向一致。本发明还提供一种利用上述装置制备碳纳米管的方法。在碳纳米管制备过程中,在该线圈上施加一电流,可产生一垂直于该电极的磁场;在该电极上施加一直流偏压,可产生一垂直于该电极的电场;在电场力及磁场力的双重引导作用下制备碳纳米管,可实现其高准直性制备。 |
申请公布号 |
CN100515936C |
申请公布日期 |
2009.07.22 |
申请号 |
CN200510100799.2 |
申请日期 |
2005.10.28 |
申请人 |
鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
发明人 |
张庆州;萧博元;何纪壮 |
分类号 |
C01B31/02(2006.01)I |
主分类号 |
C01B31/02(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种碳纳米管制备装置,其包括:一反应腔以及一个基底,该反应腔包括一对相对设置的进气口与排气口,其分别设在该反应腔的底部与顶部,该进气口用于通入碳源气,该基底设置在该反应腔内;其特征在于,该碳纳米管制备装置还包括一电极,其位于该反应腔内,且该电极与该基底平行,用于产生一垂直于该电极的电场,该电场方向平行于碳源气气流方向;以及至少一线圈,其用于产生一垂直于该电极的磁场,且该磁场的方向与所述电场的方向一致。 |
地址 |
518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 |