| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体器件，其中在绝缘体上半导体(SOI)衬底中形成垂直沟槽半导体-氧化物-氮化物-氧化物-半导体(SONOS)存储器单元，这允许以SOI基互补金属氧化物半导体(CMOS)技术集成密集非易失性随机存取存储器(NVRAM)单元。使用常规沟槽工艺加工沟槽，且在本发明方法开始不久加工，本发明方法允许存储器单元的制造与SOI逻辑处理完全分开。 | ||
| 申请公布号 | CN100517732C | 申请公布日期 | 2009.07.22 |
| 申请号 | CN200610144480.4 | 申请日期 | 2006.11.08 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | H·L·霍;J·A·曼德尔曼;D·M·多布金斯基;Y·奥塔尼 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于 静;李 峥 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，包括：绝缘体上半导体衬底，包括被绝缘埋层彼此分开的顶部半导体层和底部半导体层；以及至少一个垂直沟槽SONOS存储器单元，位于所述绝缘体上半导体衬底内，所述至少一个垂直沟槽SONOS存储器单元包括位于所述垂直沟槽下方的源扩散区、位于所述垂直沟槽的外侧壁上的选择栅极沟道、位于所述选择栅极沟道上方且与之接触的S具有外扩散区/含Si区/外扩散区结构的桥，以及位于与所述桥的上部邻近且与之接触的硅化物掺杂区，其中所述桥存在于所述顶部半导体层、所述绝缘埋层和所述下半导体层内。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||