| 发明名称 | 具增进亮度的半导体发光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具增进亮度的半导体元件及其制法。此半导体元件包括一基板(substrate)；一保护层(passivation layer)，为一不导电层；一反射层；一第一半导体导电层；一多层量子阱结构层；与一第二半导体导电层，其中此基板具有良好的导电性与导热性。 | ||
| 申请公布号 | CN100517775C | 申请公布日期 | 2009.07.22 |
| 申请号 | CN200410084921.7 | 申请日期 | 2004.10.10 |
| 申请人 | 晶元光电股份有限公司 | 发明人 | 蔡宗良;张智松;温伟值;陈泽澎 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯 宇 |
| 主权项 | 1、一种半导体发光元件，包括：一基板，具有导电性与导热性；一保护层，位于该基板上，为一不导电层；一反射层，位于该保护层上，该反射层用以反射一电磁波；一第一半导体导电层，位于该反射层上；一多层量子阱结构层，位于该第一半导体导电层上；与一第二半导体导电层，位于该多层量子阱结构层上，其中该半导体发光元件经过声波或准分子激光的处理。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||