化学机械研磨的流程与基底上铜层氧化物研磨制程

摘要

本发明揭示一种氧化物研磨制程，是一化学机械研磨制程的流程的一部分。在一第一研磨站中研磨一铜层与一第二研磨站中研磨一扩散阻障层之后，一第三研磨站中的一关键步骤为一第一氧化物研磨浆料与一第一去离子水冲洗的应用，以及其后的一第二氧化物研磨浆料与一第二去离子水冲洗。其结果为缺陷的数量由数千降至低于一百。另一个重要的因子为低下压力(down force)，能更有效地去除粒子。改善后的氧化物研磨制程与一单一的氧化物研磨与一去离子水冲洗的方法，具有相同的产出，并可以实行于任何三元研磨浆料的制程流程中。

主权项

1.一种基底上铜层氧化物研磨制程，该基底具有一上表面与一下表面，其特征在于，该制程包含：提供一基底，具有一上表面，该基底的上表面包含一铜层区与一介电层区，该铜层区为一铜层的上表面，该介电层区为一介电层的上表面；使用一平台上的一研磨垫与一研磨浆料来接触该基底的该上表面，以在一研磨治具的一第一研磨站中，施行一第一氧化物研磨步骤，其中该基底是藉由其下表面承载于具有一向下力与一转速的一承载体上；以去离子水冲洗该基底；一研磨垫涂底步骤，包含以500～1000ml/min的去离子水流量、与200～300ml/min的氧化物研磨浆料流量来涂底，涂底时间为10秒，此时该承载体是上升至该研磨垫的上方，而使该基底的该上表面不接触该研磨垫；使用一平台上的该研磨垫与一研磨浆料来接触该基底的该上表面，以在该第一研磨站中，施行一第二氧化物研磨步骤，其中该基底是藉由其下表面承载于具有一下压力与一转速的一承载体上；以及第二次以去离子水冲洗该基底。