| 主权项 |
1.一种高反射效率发光二极体，系包括有：一永久基板；一金属反射层，位于该永久基板上；一绝缘型介电质层，位于该金属反射层上，并于内部贯穿形成有令电流导通之非合金型欧姆接触层；以及一发光结构层，位于该绝缘型介电质层与非合金型欧姆接触层上，用以回应电流之导通而产生光者。2.如申请专利范围第1项所述之高反射效率发光二极体，其中，该绝缘型介电质层之下端面提高，并用以形成插入该绝缘型介电质层与金属反射层间之第二金属反射层。3.如申请专利范围第1项所述之高反射效率发光二极体，其中，该非合金型欧姆接触层之下端面提高，并用以形成插入该非合金型欧姆接触层与金属反射层间之导电型介电质层。4.如申请专利范围第1项所述之高反射效率发光二极体，其中，该绝缘型介电质层之下端面提高，并用以形成插入该绝缘型介电质层与金属反射层间之第二金属反射层，且将该非合金型欧姆接触层之下端面提高，并用以形成插入该非合金型欧姆接触层与金属反射层间之导电型介电质层。5.如申请专利范围第1至4项任一项所述之高反射效率发光二极体，其中，该永久基板选用碳、矽、锗或金属等具备高韧性与高散热能力之材料。6.如申请专利范围第1至4项任一项所述之高反射效率发光二极体，其中，该金属反射层之材料为具备高反射率之银、铝、金等金属，或金铍合金、金锌合金等金属合金。7.如申请专利范围第1至4项任一项所述之高反射效率发光二极体，其中，该绝缘型介电质层之材料包括了金属或半导体的氧化物、氮化物或氮氧化物等材料。8.如申请专利范围第1至4项任一项所述之高反射效率发光二极体，其中，该非合金型欧姆接触层之材料包含了能够将掺杂浓度提高至大于1E19 cm-3的半导体材料，藉此形成可靠之欧姆接触而不需要使用金属材料。9.如申请专利范围第1至4项任一项所述之高反射效率发光二极体，其中，该发光结构层包括N型半导体与P型半导体材料及夹在中间的量子井或异质接面结构，而材料为以III族元素和V族元素组成之III-V族半导体材料。10.如申请专利范围第3、4项所述之高反射效率发光二极体，其中，该导电型介电质层包括了ITO、IZO、SnO、Antimony-doped SnO、Fluorine-doped SnO、Phosphorus-doped SnO、ZnO 、 Aluminum-doped ZnO 、 InO、CdO 、 CTO 、 CuAlO 、 CuCaO 、 SrCuO 等。图式简单说明：第一图系习知发光二极体之结构说明图。第二图系本创作第一实施例之结构说明图。第三图系本创作第二实施例之结构说明图。第四图系本创作第三实施例之结构说明图。第五图系本创作第四实施例之结构说明图。 |
