| 主权项 |
1.一种利用磁力线控制光学变焦距离结构，包括：一密闭结合固定的壳体；一被控制件，其可移动的设置于该密闭结合固定的壳体内；一控制件，其可活动的设置于该密闭结合固定的壳体外，该控制件与该被控制件相对应；一变焦装置，其设于该被控制件上；至少一第一磁性元件，其设置于该被控制件上；以及至少一第二磁性元件，其设置于该控制件上，该第二磁性元件与该第一磁性元件能选择性的产生对应磁力线作用，以驱动该被控制件带动该变焦装置于该密闭结合固定的壳体内移动。2.如申请专利范围第1项所述之利用磁力线控制光学变焦距离结构，其中该密闭结合固定的壳体内设置有一发光源。3.如申请专利范围第1项所述之利用磁力线控制光学变焦距离结构，其中该控制件系可转动的套设于该密闭结合固定的壳体外。4.如申请专利范围第1项所述之利用磁力线控制光学变焦距离结构，其中该控制件系可前、后移动的套设于该密闭结合固定的壳体外。5.如申请专利范围第4项所述之利用磁力线控制光学变焦距离结构，其中该密闭结合固定的壳体于配合控制件活动处为一圆形的中空体，该密闭结合固定的壳体的外壁设有一挡止面，该控制件的内壁凸设有对应于该挡止面的挡止件。6.如申请专利范围第1、2、3或4项所述之利用磁力线控制光学变焦距离结构，其中该变焦装置为一透镜。7.如申请专利范围第1、2、3或4项所述之利用磁力线控制光学变焦距离结构，其中该变焦装置为一折射灯杯。8.如申请专利范围第1、2、3或4项所述之利用磁力线控制光学变焦距离结构，其中该第一磁性元件与该第二磁性元件皆为磁铁。9.如申请专利范围第8项所述之利用磁力线控制光学变焦距离结构，其中该第一磁性元件与该第二磁性元件相邻接的一端面系为磁性相异的磁极。10.如申请专利范围第8项所述之利用磁力线控制光学变焦距离结构，其中该第一磁性元件与该第二磁性元件相邻接的一端面系为磁性相同的磁极。11.如申请专利范围第1、2、3或4项所述之利用磁力线控制光学变焦距离结构，其中该第一磁性元件系为磁铁，该第二磁性元件系为铁件。12.如申请专利范围第1、2、3或4项所述之利用磁力线控制光学变焦距离结构，其中该第一磁性元件系为铁件，该第二磁性元件系为磁铁。13.一种利用磁力线控制光学变焦距离结构，包括：一密闭结合固定的壳体；一被控制件，其可移动的设置于该密闭结合固定的壳体内；一控制件，其可活动的设置于该密闭结合固定的壳体外，该控制件与该被控制件相对应；一发光源，其设于该被控制件上；一变焦装置，其设于该密闭结合固定的壳体上；至少一第一磁性元件，其设置于该被控制件上；以及至少一第二磁性元件，其设置于该控制件上，该第二磁性元件与该第一磁性元件能选择性的产生对应磁力线作用，以驱动该被控制件带动该发光源于该密闭结合固定的壳体内移动。14.如申请专利范围第13项所述之利用磁力线控制光学变焦距离结构，其中该控制件系可转动的套设于该密闭结合固定的壳体外。15.如申请专利范围第13项所述之利用磁力线控制光学变焦距离结构，其中该控制件系可前、后移动的套设于该密闭结合固定的壳体外。16.如申请专利范围第13、14或15项所述之利用磁力线控制光学变焦距离结构，其中该变焦装置为一透镜。17.如申请专利范围第13、14或15项所述之利用磁力线控制光学变焦距离结构，其中该变焦装置为一折射灯杯。图式简单说明：第一图为本创作利用磁力线控制光学变焦距离结构之立体组合图。第二图为本创作利用磁力线控制光学变焦距离结构之立体分解示意图。第三图为本创作利用磁力线控制光学变焦距离结构之组合剖视图。第四图为本创作利用磁力线控制光学变焦距离结构之组合剖视图，其绘示控制件转动之实施状态。第四A图为本创作利用磁力线控制光学变焦距离结构之另一组合剖视图，其绘示控制件转动之实施状态。第五图为本创作利用磁力线控制光学变焦距离结构之组合剖视图，其绘示控制件前、后移动之实施状态。第六图为本创作利用磁力线控制光学变焦距离结构之另一立体分解示意图。第六A图为本创作利用磁力线控制光学变焦距离结构之另一平面示意图，其绘示折射灯杯与发光源距离改变之实施状态。第七图为本创作利用磁力线控制光学变焦距离结构另一实施例之组合剖视图第八图为本创作利用磁力线控制光学变焦距离结构又一实施例之组合剖视图。 |
