| 摘要 |
1. Способ создания маски на поверхности подложки, включающий нанесение на поверхность подложки слоя полимерного резиста, экспонирование заданных участков поверхности резиста и последующее проявление созданной на резисте структуры, отличающийся тем, что после экспонирования и перед проявлением поверхность резиста дополнительно облучается светом с энергией кванта меньше порога фотодеструкции полимерного резиста. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что экспонирование полимерного резиста производится излучением с длиной волны не более 200 нм, предпочтительно лазерным излучением. ! 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что экспонирование полимерного резиста производится пучком электронов и/или атомных частиц - протонов и/или ионов. ! 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что экспонирование полимерного резиста производится рентгеновским излучением. ! 5. Способ по п.1, отличающийся тем, что дополнительное облучение полимерного резиста производится импульсно-периодическим светом с энергией кванта меньше порога фотодеструкции полимерного резиста. ! 6. Способ по любому из пп.1-5, отличающийся тем, что экспонирование полимерного резиста производится с дозой, составляющей не более 70% от величины, необходимой для последующего проявления создаваемой на полимерном резисте структуры. |
