金氧半电晶体的制造方法、形成通道阻绝的方法以及半导体元件

摘要

一种金氧半电晶体的制造方法，此方法例如是先提供基底，于基底中形成第一导电型井区。然后，于第一导电型井区之基底上形成闸极结构。并于闸极结构两侧之基底中形成第二导电型源极/汲极区。而后，对基底进行第一导电型离子植入制程，穿透闸极结构而于第二导电型源极/汲极区下方之基底中形成第一导电型掺杂区，其中第一导电型掺杂区的深度大于第一导电型井区的深度。