| 摘要 |
一种半导体晶圆，其中含有一基板，此者具有复数个经构成于其上的主动元件。一类比电路系经构成于该基板上。该类比电路可为一电感器、金属-绝缘器-金属电容器或电阻器。该电感器是由铜质所制成。一直通基板穿孔(TSV)系经构成于该基板内。一导体材料系经沉积于该TSV内而电气接触于该类比电路。一底层球点金属化(UBM)层系经构成于该基板之背面上而电气接触于该TSV。一焊烧材料系经沉积于该UBM层上。该焊烧材料系经重流以构成一焊烧球点。一线路接附系经构成于该基板的上方表面上。一重分布层系经构成于该TSV与该UBM之间。一类比电路系经由该TSV而电气连接至位于该基板之背面上的焊烧球点。 |
