磊晶晶圆的制造方法及磊晶晶圆

摘要

本发明是一种磊晶晶圆的制造方法，是在单晶矽基板上形成磊晶层之磊晶晶圆的制造方法，其特征为：只有将碳离子植入N型单晶矽基板而形成碳离子植入层，随后，在形成有该碳离子植入层之上述N型单晶矽基板的表面，形成上述磊晶层，并使从上述磊晶层至上述碳离子植入层之电阻率转变区域的厚度为2微米以下。藉此，能够提供一种磊晶晶圆的制造方法，可制造出具有低电阻率的离子植入层及高电阻率的磊晶层，且使两层之间的电阻率转变区域锐利化，同时不会因重金属不纯物而产生污染问题的磊晶晶圆。