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经营范围
发明名称
半导体装置之制造方法
摘要
本发明之半导体装置之制造方法系包含以下步骤:在半导体基板上形成半导体元件;及以微波作为电浆源,藉由利用在半导体基板之表面附近,电浆之电子温度低于1.5 eV、且电浆之电子密度高于1×10#sP!11#eP! cm#sP!-3#eP!之微波电浆的CVD处理,而在半导体元件上形成膜。
申请公布号
TW200924049
申请公布日期
2009.06.01
申请号
TW097130369
申请日期
2008.08.08
申请人
东京威力科创股份有限公司;国立大学法人东北大学
发明人
上田博一;野泽俊久;松冈孝明;寺本章伸;大见忠弘
分类号
H01L21/3065(2006.01);H01L21/31(2006.01)
主分类号
H01L21/3065(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
日本
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