发明名称 半导体装置之制造方法
摘要 本发明之半导体装置之制造方法系包含以下步骤:在半导体基板上形成半导体元件;及以微波作为电浆源,藉由利用在半导体基板之表面附近,电浆之电子温度低于1.5 eV、且电浆之电子密度高于1×10#sP!11#eP! cm#sP!-3#eP!之微波电浆的CVD处理,而在半导体元件上形成膜。
申请公布号 TW200924049 申请公布日期 2009.06.01
申请号 TW097130369 申请日期 2008.08.08
申请人 东京威力科创股份有限公司;国立大学法人东北大学 发明人 上田博一;野泽俊久;松冈孝明;寺本章伸;大见忠弘
分类号 H01L21/3065(2006.01);H01L21/31(2006.01) 主分类号 H01L21/3065(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本