| 摘要 |
本发明提供一种半导体装置，其目的在缩小具备有非挥发性记忆体之半导体装置之晶片面积。包括形成于基板1S之主面，且相邻配置之记忆体晶元MC1及记忆体晶元MC2。在基板1S之主面系配置彼此电性分离之活性区域L1~L4。在活性区域L1系配置记忆体晶元MC1之电容元件C，而在活性区域L4系配置记忆体晶元MC2之电容元件C。此外，在活性区域L2系一同配置记忆体晶元MC1之写入/抹除用元件CWE及记忆体晶元MC2之写入/抹除用元件CWE。再者，在活性区域L3系一同配置记忆体晶元MC1之读取用元件QR及记忆体晶元MC2之读取用元件QR。 |
