| 摘要 |
提供可缓和自动补偿效果，抑制施体杂质之混入，容易实施p型化之氧化锌系半导体元件 提供。Mg#sB!x#eB!Zn#sB!1-x#eB!O(0≦x＜1)基板之主面之法线投影于基板结晶轴之a轴c轴平面之投影轴于a轴方向倾斜Φ#sB!a#eB!度，此外，投影于基板结晶轴之m轴c轴平面之投影轴，于m轴方向倾斜Φ#sB!m#eB!度，角度Φ#sB!a#eB!满足70≦﹛90-(180/π)arctan(tan(πΦ#sB!a#eB!/180)/tan(πΦ#sB!m#eB!/180))≦110，且，满足Φ#sB!m#eB!≧1之形成于该主面上之氧化锌系半导体层，因为可抑制施体杂质之混入，缓和自动补偿效果，而容易实施p型化并制作期望之氧化锌系半导体元件。 |
