发明名称 |
制造半导体元件之方法 |
摘要 |
根据一具体实施例的一方面,一种制造半导体元件的方法系具有下列步骤:在一半导体基板上形成一含矽层,在该半导体基板及该含矽层上形成一金属层,藉由热处理该半导体基板及该含矽层来形成一含矽化物层于该半导体基板及该含矽层上,以及施加快速退火法至该含矽化物层。 |
申请公布号 |
TW200924076 |
申请公布日期 |
2009.06.01 |
申请号 |
TW097136071 |
申请日期 |
2008.09.19 |
申请人 |
富士通微电子股份有限公司 |
发明人 |
川村和郎;秋山深一;大久保和哉;片上朗;井谷直毅;渡边崇史 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01);H01L21/324(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群;陈文郎 |
主权项 |
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地址 |
日本 |