发明名称 应用高能脉冲磁管喷溅于三维晶圆封装中的直通晶矽通孔金属化
摘要 本发明提供一种在沟槽的内表面上磁性强化喷溅导电材料的方法,其包含:在至少部分由该导电材料所形成的目标物旁边提供磁场;以及在阳极与该目标物之间施加DC电压以作为复数个脉冲。高频讯号会被施加至支撑该半导体基板的基座,用以在该半导体基板旁边产生自偏压电场。该高频讯号会在与该等DC电压脉冲被施加的周期重叠的时间周期期间以多个脉冲的形式被施加至该基座。施加该等高频讯号的时间周期的时间持续长度会超越被施加在该阳极与该阴极之间的DC电压脉冲的终止时间。于每一个DC电压脉冲期间,该导电材料会被喷溅沉积在形成于该半导体基板中的沟槽的侧壁上。
申请公布号 TW200923116 申请公布日期 2009.06.01
申请号 TW097141136 申请日期 2008.10.27
申请人 OC欧瑞康巴尔斯公司 发明人 委区尔 朱根;卡帝拉 史坦斯拉
分类号 C23C14/34(2006.01);C23C14/54(2006.01);H01L23/52(2006.01) 主分类号 C23C14/34(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 列支敦斯登