| 摘要 |
本发明系一种高亮度发光二极体及其制造方法，其中，提供不会产生高Vf不良之同时，使用寿命特性佳，且亮度高之红色高亮度发光二极体，以及可产率佳且生产性佳地安定制造该高亮度发光二极体之高亮度发光二极体之制造方法。具有成长于GaAs基板上之AlGaInP之4元发光层，和成长于前述AlGaInP之4元发光层之表面上的发光光之取出用的P型窗层，和在蚀刻除去前述GaAs基板之后，气相磊晶成长于晶格匹配于前述AlGaInP之4元发光层之GaAs的背面的发光光之取出用的n型GaP窗层，由持续提升前述n型GaP窗层之成长初期的n型载体浓度，将n型GaP窗层成长初期之后之n型GaP窗层的n型载体浓度，作为较前述n型GaP窗层成长初期之n型载体浓度为低者。 |
