半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置。此半导装置，包含一基底、一形成在此基底上方的磊晶层，以及一汲极、一源极及一闸极，形成于上述磊晶层上。上述闸极具有对称且封闭的几何形状，且此闸极完整地设置于一主动区域，并未跨越一绝缘区域。上述闸极系避免跨越上述绝缘区域设置，藉此可改善半导体装置的崩溃电压及其可靠性。