绝缘体上有矽之晶圆制造的单晶圆植入机

摘要

本发明揭露了一种离子植入机。一个这样的离子植入机包括离子束源和分析器磁体，此离子束源经组态以产生氧、氮、氦或氢离子为具有特定剂量范围之离子束，此分析器磁体经组态以自离子束移除不想要的物质。此离子植入机包括一种具有背面气体热耦合之静电夹盘，此静电夹盘经组态以固持单个工件来藉由离子束进行绝缘体上有矽之植入且经组态以将此工件冷却至大约300℃至600℃之温度范围。